-プログラム-

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12月12日（火）
時間	講演タイトル	講演者 　（敬称略）
09:30	受付開始
10:00-10:10	開会挨拶	石原 直 (東京大学)
10:10-12:10　　　 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 座長: 石内秀美（EIDEC）
10:10-10:50	-招待講演- "EUV industrialization for HVM and future outlook" 4.5MB	Michael Lercel (ASML)
10:50-11:30	-招待講演- 「SACLAでのX線レーザープラズマ増幅実験とEUV-FELへの応用可能性」 2.9MB	石川 哲也 (理化学研究所)
11:30-12:10	-招待講演- 「EUV微細加工技術に向けたSXFELと物質・材料の相互作用に関する研究」 2.1MB	錦野 将元 (QST)
－　昼食 【12:10-13:30】　－
13:30-14:45　　　　　　　 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　座長：羽島良一（QST）
13:30-13:55	「半導体リソグラフィーのためのEUV-FEL光源」 8.0MB	中村 典雄 (KEK)
13:55-14:20	「加速器技術ー超伝導高周波空洞」 963KB	古屋 貴章 (KEK)
14:20-14:45	「FELが明らかにする固体のEUV領域における非線形光学応答」	平田 靖透 (東京大学)
－　コーヒーブレイク 【14:45-15:15】　－
15:15-16:30　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 座長：鷲尾方一（早稲田大学）
15:15-15:40	「半導体量産用高出力光源の集光鏡の寿命特性」 2.4MB	溝口 計 (ギガフォトン)
15:40-16:05	「三菱重工機械システムにおける超伝導加速器への取り組み」 4.1MB	原 博史 (三菱重工機械システム)
16:05-16:30	「東芝における加速器の技術展望」 1.6MB	平田 寛 (東芝エネルギーシステムズ)
16:30-16:50　-総合議論-　 　　　　　　　 今後に向けて（開発計画概要および全体議論）　　　　　　　　　　　　　 河田 洋 (KEK)
16:50	閉会の辞	岡田 武（産業技術総合研究所）
16:55	散会